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125V/3A, High-Speed,
Half-Bridge MOSFET Drivers
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V DD = V BST = 8V to 12.6V, V HS = V GND = 0V, T A = T J = -40°C to +125°C, unless otherwise noted. Typical values are at V DD = V BST
= 12V and T A = +25°C.) (Note 1)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
SWITCHING CHARACTERISTICS FOR HIGH- AND LOW-SIDE DRIVERS (V DD = V BST = +12V)
No C L
1
Rise Time
t R
C L = 1000pF
C L = 5000pF
5
25
ns
C L = 10,000pF
No C L
50
1
Fall Time
t F
C L = 1000pF
C L = 5000pF
5
20
ns
C L = 10,000pF
40
Figure 1,
MAX15018A/
MAX15018B (CMOS)
33
60
Turn-On Propagation Delay Time
t D_ON
C L = 1000pF
ns
(Note 2)
Figure 1,
MAX15019A/
MAX15019B (TTL)
MAX15018A/
MAX15018B (CMOS)
36
30
66
55
Turn-Off Propagation Delay Time
t D_OFF
C L = 1000pF
ns
(Note 2)
MAX15019A/
MAX15019B (TTL)
36
66
Delay Matching Between High-Side
Turn-On to Low-Side Turn-On
Delay Matching Between High-Side
Turn-Off to Low-Side Turn-Off
Delay Matching Between High-Side
Turn-Off to Low-Side Turn-On
Delay Matching Between High-Side
Turn-On to Low-Side Turn-Off
t MATCH1
t MATCH2
t MATCH3
t MATCH4
C L = 1000pF
(Note 2)
C L = 1000pF
(Note 2)
C L = 1000pF
(Note 2)
C L = 1000pF
(Note 2)
MAX15018A/
MAX15018B (CMOS)
MAX15019A/
MAX15019B (TTL)
MAX15018A/
MAX15018B (CMOS)
MAX15019A/
MAX15019B (TTL)
MAX15018A/
MAX15018B (CMOS)
MAX15019A/
MAX15019B (TTL)
MAX15018A/
MAX15018B (CMOS)
MAX15019A/
MAX15019B (TTL)
1
1
1
1
2
1
2
1
5
6
5
6
8
6
8
6
ns
ns
ns
ns
Minimum Input Pulse Width for
Output Change
t PW
20
ns
Note 1: All devices are 100% production tested at T A = T J = +125°C. Limits over temperature are guaranteed by design and char-
acterization.
Note 2: Guaranteed by design, not production tested.
4
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